硅探測(cè)器

型號(hào)名稱(chēng)

SI190紫外增強(qiáng)硅探測(cè)器

SI300硅探測(cè)器

感光面積

100(10×10) mm2

100(10×10) mm2

波長(zhǎng)使用范圍

190-1100 nm

300-1100 nm

峰值波長(zhǎng)

960 nm

800±20 nm

峰值波長(zhǎng)響應(yīng)度

0.5 A/W

>0.4 A/W

200nm的響應(yīng)度

0.1-0.12 A/W

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響應(yīng)時(shí)間

3µs

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工作溫度范圍

-20～+60℃

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儲(chǔ)存溫度范圍

-20～+80℃

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分流電阻

200(>50) MΩ

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等效噪聲功率

1.8×10-14W/√Hz

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暗電流（25℃；-1V）

2×10-10 A

1×10-8-5×10-11 A

結(jié)電容

1100 pf（VR =0V,f=10KHz）

<3000 pf (-10V)

重量

0.18kg

0.18kg